Самсунг запустила производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND

By on Август 12, 2015

Добавить статью в закладки:

Об этом говорится в объявлении Самсунг, поступившем в редакцию CNews. На одном кристалле такой микросхемы можно будет записать 256 гигабит (32 гигабайта) данных, другими словами вдвое больше, чем на выпускавшихся компанией до сих пор микросхемах.

Технология V-NAND, созданная фирмой Самсунг, принадлежит к классу так называемых объемных -технологий хранения данных во флеш-памяти. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.

Компания Самсунг обнародовала информацию о запуске серийного выпуска 48-слойных микросхем памяти, емкость которых составит 256 Гбит. Предшествующее поколение было анонсировано летом прошедшего года, когда компания представила чипы емкостью 128 Гб содержавшие 32 слоя. В связи с этим разработчикам получилось установить около 85,3 млрд ячеек.

Как отмечают уполномоченные Самсунг, нынешние чипы V-NAND по сравнению с предшествующим поколением на 30% не менее эффективны по потреблению электрической энергии. Внедряя твердотельные диски, созданные для рядовых покупателей, с плотностью записи данных в два терабайта и выше, Самсунг также рассчитывает увеличить объемы продаж твердотельных дисков с высокой плотностью записи данных, предназначенных для больших учреждений и центров обработки данных и обеспечивающих поддержку интерфейсов PCIe NVMe и SAS.

Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наверх
Подробнее:
Нокиа возвратит легендарную модель 3310

Финская компания HDM Global собирается выпустить современную версию культового телефона нокиа 3310.

Включенный iPhone 6s в первый раз показали на видео

Анонимный источник обнародовал в сети интернет видеоролик с приблизительно, iPhone 6s.

Закрыть