Самсунг проложила дорогу смартфонам с 6 ГБ ОЗУ

By on 9 сентября, 2015

Добавить статью в закладки:

Южнокорейская компания Самсунг анонсировала выпуск чипа памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит. Память LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) создана для мобильных устройств и отличается пониженным энергопотреблением.

Каждый 12-гигабитный чип — это 1.5 гигабайт памяти. А в сравнении с модулями DDR4 DRAM для персональных компьютеров она вдвое скорее и на 20% энергоэффективнее.

В одном модуле мобильной памяти Самсунг может объединять до четырех кристаллов совокупным объемом 6 ГБ.

Согласно заявлению Самсунг, 6-гигабайтную память LPDDR4 получат флагманские мобильные устройства следующего поколения. Новая память поддерживает скорость обмена информацией 4,3 Гбит/с. Новая память Самсунг будет производиться по 20-нанометровому техпроцессу.

Таким образом, профессионалам Самсунг получилось увеличить емкость модуля в полтора раза. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм. При всем этом новинка имеет 20-процентное превосходство в части низкого потребления энергии.

В 2016 году появятся смартфоны с 6 Гбайт оперативной памяти

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наверх
Подробнее:
Израильская сеть Cofix вышла на русский рынок

Напомним, что о начале экспансии в Российскую Федерацию уполномоченные сети проинформировали израильской бирже еще в конце мая текущего года.

В Индии с 14 ноября разблокировали российскую соцсеть «ВКонтакте»

В Индии после 2-х месяцев после блокировки сети «ВКонтакте» власти страны приняли решение о обновлении доступа к ресурсу. Затем индийские власти получили...

Закрыть