Самсунг начала производство 512 ГБ памяти eUFS для мобильных устройств обновленного поколения

By on 6 декабря, 2017

Добавить статью в закладки:

Считанные мин. назад компания Самсунг официально анонсировала новейшую флеш-память для портативной электроники.

Утверждается, что новые модули обеспечивают возможность последовательного чтения информации со скоростью до 860 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 255 Мбайт/с. В корпусе того же размера размещены восемь 64-слойных микросхем V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллер. «Обеспечивая стабильные поставки данной актуальной для нашего времени встроенной памяти на раннем этапе, компания Самсунг совершает существенный шаг вперед с точки зрения своевременного выпуска мобильных устройств обновленного поколения мобильными производителями по всему миру».

«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных телефонов обновленного поколения», — говорит Джису Хан.

По утверждению производителя, не менее емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Максимальная работоспособность при чтении заявлена на уровне 42 000 IOPS, при записи — 40 000 IOPS. Это в 400 раз скорее, чем у все той же типичной MicroSD-карты. Вероятно, идет речь о Самсунг Galaxy S9.

Samsung начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наверх
Подробнее:
Мощности Google переведены на солнечную и ветровую энергию

Об этом объявил Сэм Аронс из департамента энергетики и инфраструктуры Google, сообщается на странице компании в Твиттер. Общие инвестиции Google в сферу чистой энергетики достигли...

В начале года выйдет смартфон со встроенным в экран сканером отпечатков пальцев

Сегодня Synaptics сообщила, что ей удалось интегрировать сканер отпечатка пальцев под названием Clear ID FS9500 в экран.

Закрыть