Самсунг начала производство 512 ГБ памяти eUFS для мобильных устройств обновленного поколения

By on Декабрь 6, 2017

Добавить статью в закладки:

Считанные мин. назад компания Самсунг официально анонсировала новейшую флеш-память для портативной электроники.

Утверждается, что новые модули обеспечивают возможность последовательного чтения информации со скоростью до 860 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 255 Мбайт/с. В корпусе того же размера размещены восемь 64-слойных микросхем V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллер. «Обеспечивая стабильные поставки данной актуальной для нашего времени встроенной памяти на раннем этапе, компания Самсунг совершает существенный шаг вперед с точки зрения своевременного выпуска мобильных устройств обновленного поколения мобильными производителями по всему миру».

«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных телефонов обновленного поколения», — говорит Джису Хан.

По утверждению производителя, не менее емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Максимальная работоспособность при чтении заявлена на уровне 42 000 IOPS, при записи — 40 000 IOPS. Это в 400 раз скорее, чем у все той же типичной MicroSD-карты. Вероятно, идет речь о Самсунг Galaxy S9.

Samsung начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наверх
Подробнее:
Самсунг Galaxy S9 и S9+ получат сканер распознавания лица

Такими данными поделились инженеры, работающие в Самсунг.

AMD официально представила видеокарты Radeon RX Vega

До публикации обзоров видеокарт Radeon RX Vega 64 еще остаётся неделя-другая, поэтому желающим выяснить, насколько производительным вышел новый флагман AMD, приходится удовлетворяться...

Закрыть